赫爾納供應(yīng)德國formfactor探測系統(tǒng)CM300xi
赫爾納供應(yīng)德國formfactor探測系統(tǒng)CM300xi
赫爾納貿(mào)易優(yōu)勢供應(yīng),德國總部直接采購,近30年進(jìn)口工業(yè)品經(jīng)驗(yàn),原裝產(chǎn)品,為您提供一對一好的解決方案,貨期穩(wěn)定。
公司簡介:
FormFactor, Inc. (納斯達(dá)克代碼:FORM) 是整個(gè) IC 周期內(nèi)測試和測量技術(shù)的提供商——從特性描述、建模和設(shè)計(jì)調(diào)試到認(rèn)證和生產(chǎn)測試。
formfactor探測系統(tǒng)主要產(chǎn)品:
formfactor探測系統(tǒng)
Formfactor探針
formfactor探測系統(tǒng)產(chǎn)品型號:
CM300xi
PA210
formfactor探測系統(tǒng)產(chǎn)品特點(diǎn):
全溫度范圍:-60°C 至 +300°C
與 TopHat 或IceShield兼容
在 EMI 屏蔽環(huán)境中使用手動和電動器、探針卡
在很寬的溫度范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定且可重復(fù)的測量
formfactor探測系統(tǒng)產(chǎn)品應(yīng)用:
formfactor探測系統(tǒng)為其150 毫米探針臺引入了新的模塊化概念。這將使您能夠以令人難以置信的價(jià)格配置當(dāng)前和需求的探針解決方案。需選擇一個(gè)基站并根據(jù)需要添加數(shù)量的特定于應(yīng)用程序的入門套件。formfactor探測系統(tǒng)同軸電纜 – 低至 pA 級的直流參數(shù)測試可移動壓板,高度調(diào)節(jié)范圍為 40 毫米,接觸/分離行程為 200 微米,重復(fù)精度為 ± 1 微米,卡盤臺具有可調(diào)節(jié)摩擦力和臺鎖, Z 卡盤調(diào)節(jié)和 90 毫米拉出功能,磁定位器具有 1 μm 特征分辨率和 3 個(gè)線性軸,配有精密滾珠軸承
formfactor探測系統(tǒng)MPS150 三同軸,Triax – 低噪聲測量至 fA 級。CM300xi 探針臺可應(yīng)對復(fù)雜環(huán)境帶來的測量,例如長時(shí)間在多個(gè)溫度下對小型焊盤進(jìn)行測試。在 EMI 屏蔽、不透光和無濕氣的測試環(huán)境中,可為各種應(yīng)用實(shí)現(xiàn)的測量性能。formfactor探測系統(tǒng)熱管理增強(qiáng)功能和實(shí)驗(yàn)室自動化功能可提高產(chǎn)量并加快數(shù)據(jù)獲取速度。對于低溫測試,FormFactor 的開放式 IceShield™ 環(huán)境也可用于 CM300xi。
CM300xi 支持 Contact Intelligence™ – 這是一種技術(shù),可實(shí)現(xiàn)自主半導(dǎo)體測試。新系統(tǒng)設(shè)計(jì)與圖像處理的組合提供了獨(dú)立于操作員的解決方案,可在時(shí)間和溫度下獲得測量數(shù)據(jù)。
formfactor探測系統(tǒng)CM300xi 探針臺配備物料處理單元,將全自動晶圓測試與精度相結(jié)合。該系統(tǒng)可處理 50 個(gè) SEMI 標(biāo)準(zhǔn)晶圓盒中的 200 或 300 毫米晶圓。
formfactor探測系統(tǒng)可選的 ReAlign™ 功能可以獨(dú)立于主 eVue 顯微鏡執(zhí)行“離軸"探針到焊盤的對準(zhǔn)。ReAlign 是探針卡的工具,它不允許從上方查看焊盤和探針。ReAlign 硬件包括 2 個(gè)附加攝像頭:向下看的“壓板攝像頭"直接集成到 CM300xi 的壓板中,用于觀察焊盤;向上看的“ChuckView 攝像頭"用于表征探針。Realign 向?qū)г试S使用預(yù)定義算法設(shè)置不同的探針卡,立體顯微鏡:放大倍數(shù)為 15 倍至 100 倍,視野寬闊,配有可連接相機(jī)。formfactor探測系統(tǒng)MPS150分析與設(shè)計(jì)調(diào)試,MPS150 高功率,晶圓上功率器件特性分析,多用途 SIGMA 儀器集成套件,帶保護(hù)罩的三同軸探頭,多種分析儀的無縫集成,帶表面涂層的三軸卡盤,適用于達(dá) 3 kV 的低泄漏測量,具有高隔離度,formfactor探測系統(tǒng)以低的接觸電阻進(jìn)行達(dá) 100 A 的大電流測量,可選至 10 kV(同軸)工作電壓,晶圓處理能力,電弧保護(hù)和接地概念,帶聯(lián)鎖裝置的屏蔽外殼,適用于 EMI/防光環(huán)境,為用戶和設(shè)備提供程度的高壓電擊保護(hù)。